Большой энциклопедический политехнический словарь - фототиристор от фото и тиристор
Фототиристор от фото и тиристор
фототиристор от фото и тиристор
тиристор, перевод к-рого из одного устойчивого состояния (с низкой проводимостью) в другое (с высокой проводимостью) осуществляется в результате воздействия на него светового потока. При освещении Ф. в ПП генерируются носители заряда обоих знаков (электроны и дырки), что приводит к увеличению тока через тиристорную структуру на величину фототока. Конструктивно Ф. представляет собой светочувствит. монокристалл с р - п - р - п- или n - р - п - р-структурой (обычно из кремния), расположенный на металлич. основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. В качестве источников света для управления Ф. используются электрич. лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучат. диоды, квантовые генераторы и др. Совр. Ф. изготовляют на силу тока от неск. мА до 500 А и напряжение от неск. десятков В до неск. кВ. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм) составляет 1 - 100 мВт. Ф. широко применяются в разл. устройствах автоматич. управления и защиты, вычислит. техники (фотореле, устройствах считывания с перфокарт, системах обработки данных и др.), а также в мощных высоковольтных преобразователях.
ФОТОТРАНЗИСТОР (от фото... и транзистор) транзистор (обычно биполярный), в к-ром управление коллекторным током осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Основу Ф. составляет монокристалл ПП (преим. кремния) со структурой р _ п - р- или п - р - n-типа (см. рис.). При освещении в базе Ф. образуются парные носители заряда (электроны и дырки), к-рые разделяются электрич. полем коллекторного перехода; в результате в базовой области накапливаются осн. носители заряда, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению тока через Ф. Осн. параметры Ф.: чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку) достигает 10 А/лм (для Ф., изготовленных по диффузионной планарной технологии); постоянная времени, характеризующая инерционность Ф., обычно не превышает неск. сотен мкс; коэфф. усиления по току 100 - 1000. Ф. широко применяются в устройствах автоматики, вычислит. техники и др.; входят в состав оптронов. Схема кремниевого планарного фототранзистора: 1 - коллектор; 2 - бава; 3 - эмиттер; 4 - просветляющее покрытие
Рейтинг статьи:
Комментарии:
Вопрос-ответ:
Похожие слова
Ссылка для сайта или блога:
Ссылка для форума (bb-код):
Самые популярные термины
1 | 1709 | |
2 | 1210 | |
3 | 1106 | |
4 | 1060 | |
5 | 1029 | |
6 | 1022 | |
7 | 1021 | |
8 | 1011 | |
9 | 959 | |
10 | 895 | |
11 | 888 | |
12 | 862 | |
13 | 830 | |
14 | 825 | |
15 | 813 | |
16 | 789 | |
17 | 787 | |
18 | 769 | |
19 | 766 | |
20 | 761 |